高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
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概要
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携帯端末用単一電源動作パワー増幅器に用いるために、順方向ゲート立上り電圧(V_f)を高い値に維持しつつ、高ドレイン電流化が可能な新しいEモード埋め込みゲートFET構造を開発した。ゲート順方向電流経路がゲート-ソース間距離(Ls)によらず一定となるような構造をとることで、V_fの低下を招かずにLsの短縮を可能とし、それに応じてドレイン電流が約50%増加した。V_<th>=0.32Vの新構造FETのパワー特性を評価した結果、周波数850MHz、V_<ds>=3.5Vで電力付加効率70.6%(@P_<out>=33dBm)が得られ、この構造が携帯端末用完全EモードFET構造に適していることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
-
渡邊 祐
(株)富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社 富士通研究所
-
渡邊 祐
株式会社富士通研究所
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
長原 正樹
富士通カンタムデバイス
-
渡辺 祐
富士通研
-
渡邊 祐
富士通(株)
-
中舎 安宏
株式会社富士通研究所
-
常信 和清
株式会社富士通研究所
-
滝川 正彦
株式会社富士通研究所
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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