自己発熱効果を含むHBT過渡解析モデル
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概要
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GaAs系HBTは、その高速性を利用して、光通信や携帯電話用パワーアンプへの検討がなされているが、GaAsの熱伝導率はSiの約1/3であるため、局所的に温度が上昇する、いわゆる自己発熱効果が現れやすい。半導体は、特性の温度依存が大きいため、回路設計に於いては、自己発熱効果を考慮することが重要である。そこで、自己発熱効果を取り入れたHBTの過渡解析モデルについて検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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