90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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概要
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本論文では、3つの異なる周波数帯(800MHz,1.7GHz,2.0GHz)に対応した、W-CDMA用CMOS電力増幅器ICに関して述べる。チップ上には3つの電力増幅器に加え、温度センサ回路、パワーディテクタ回路、ディジタル制御インターフェース回路などを搭載した。更に、従来外付け部品で構成されてきた出力整合回路を全てチップ上に集積化し、これをフリップチップ実装することにより、3.5×4×0.7mmの小型パッケージを実現した。各電力増幅器はACPR(5MHz離調)<-34dBcの条件において、27.3[dBm]の利得、28.5%の電力付加効率、及び27.4[dBm]の出力電力を達成した。出力電力に応じて電源電圧とゲートバイアスを調整することにより、20[mA]以下のDG09平均消費電流を実現した。
- 2012-07-19
著者
-
森 俊彦
株式会社富士通研究所
-
山浦 新司
(株)富士通研究所rf設計部
-
川野 陽一
名古屋大学工学研究科
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
峰山 亜希子
東京工業大学統合研究院
-
白井 徳明
富士通(株)
-
加納 英樹
株式会社富士通研究所
-
鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
-
川野 陽一
株式会社富士通研究所
-
峰山 亜希子
株式会社富士通研究所
-
川野 陽一
日本医科大学付属病院外科
-
中本 裕之
株式会社富士通研究所
-
神田 浩一
株式会社富士通研究所
-
加納 英樹
富士通セミコンダクター株式会社
-
田村 哲朗
富士通セミコンダクター株式会社
-
山浦 新司
富士通セミコンダクター株式会社
-
川野 陽一
富士通セミコンダクター株式会社
-
佐々木 孝朗
富士通セミコンダクター株式会社
-
白井 徳明
富士通セミコンダクター株式会社
-
川井 重明
富士通セミコンダクター株式会社
-
工藤 真大
富士通セミコンダクター株式会社
-
村上 智敏
富士通セミコンダクター株式会社
-
長谷川 延正
富士通セミコンダクター株式会社
-
大石 和明
株式会社富士通研究所
-
島 昌司
富士通セミコンダクター株式会社
-
田村 直義
富士通セミコンダクター株式会社
-
韮塚 公利
富士通セミコンダクター株式会社
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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