C-12-55 プロセスばらつきを考慮したRF MOSFETモデル(C-12. 集積回路AC(RFモデリング),一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-03-05
著者
関連論文
- C-12-55 プロセスばらつきを考慮したRF MOSFETモデル(C-12. 集積回路AC(RFモデリング),一般セッション)
- C-10-5 InP HEMT技術を用いたCMU付きフルレート4:1マルチプレクサ(C-10.電子デバイス)
- 高集積HBT-ICを用いた10Gb/s光受信機
- PLL方式による10Gb/sクロック・データ再生HBT-IC
- 自己発熱効果を含むHBT過渡解析モデル
- 自己発熱効果を含むHBTシミュレーションモデル
- 90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)