CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々のグループではInP HEMT技術を用いて現在世界最高速となる144Gbit/sでのデジタル動作を実現した。本稿では超高速動作IC実現のための設計技術やこれまでの試作結果を紹介すると共に、Si技術との比較を行う。最後に将来展望についても触れる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
-
廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
富士通株式会社
-
廣瀬 達哉
富士通研究所
-
川野 陽一
名古屋大学工学研究科
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
-
廣瀬 達哉
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
富士通株式会社
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
中舎 安宏
富士通株式会社
-
川野 陽一
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
-
川野 陽一
株式会社富士通研究所
関連論文
- A 40-Gb/s CMOS Distributed Amplifier for Fiber-Optic Communication Systems (VLSI一般(ISSCC2004特集))
- C-10-1 40Gbit/s光通信用CMOS分布型増幅器(C-10.電子デバイス)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- SC-10-1 超高周波MMICパッケージング技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- C-2-7 70-110GHz帯高利得増幅器MMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-15 インバーテドマイクロストリップ路線を用いた利得帯域積 500 GHz 分布型増幅器
- C-2-12 樹脂封止フリップチップW帯多層MMIC
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- 幾何学形状を考慮したFET小信号等価回路モデル
- CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-2-26 分布増幅器の高利得化法
- 1.4THz利得帯域積超広帯域プリアンプIC
- SC-7-3 超高速光通信用HEMT-ICの開発
- 超広帯域40-Gb/s光通信用LiNbO_3変調器駆動回路
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサ用InP-HEMT MMICの開発(マイクロ波/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-2-51 80GHz帯域DCブロック(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- C-2-5 InP-HEMTを用いた1.8V_差動型広帯域増幅器の検討(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- メタルオーバーゲート構造を用いた低電力・高周波SOI-DTMOS
- B-5-126 超高速ギガビット無線LANの研究開発(33) : ミリ波OFDMシステムの装置試作と伝送実験(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- B-5-91 超高速ギガビット無線LANの研究開発(27) : ミリ波OFDMシステムにおけるベースバンド部の試作(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- C-2-96 94GHz帯パッシブイメージセンサの開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般講演)
- C-2-114 94GHz帯イメージセンサ用小型テーパスロットアンテナの開発(C-2. マイクロ波C(応用装置), エレクトロニクス1)
- C-2-113 94GHz帯イメージセンサ用SPDTスイッチの試作(C-2. マイクロ波C(応用装置), エレクトロニクス1)
- 94GHz帯イメージセンサ用テーパースロットアンテナの開発(一般, 学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- B-5-105 超高速ギガビット無線LANの研究開発(12) : OFDM方式の装置概要(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般講演)
- B-5-198 超高速ギガビット無線LANの研究開発(3) : OFDM方式のシステム構成(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般講演)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- C-10-19 寄生容量低減によるミリ波用InAlAs/InGaAs HEMTの低雑音化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-16 90nm Si-CMOSによる20GHz、100mW高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-144 超高速ギガビット無線LANの研究開発(19) : ミリ波OFDMシステムにおけるキャリア周波数同期の検討(B-5. 無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- CS-3-7 94GHz帯パッシブイメージセンサ用受信器の開発(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- CS-3-5 90nmCMOS技術を用いたミリ波パワーアンプ(C-3. ミリ波無線システムと回路・デバイスの開発動向,シンポジウムセッション)
- ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-19 25GHz動作40mW出力90nm Si-CMOS増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-10-5 InP HEMT短パルス発生器のジッタ特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-4 InAlAs障壁層を薄層化したInAlAs/InGaAs HEMTの雑音特性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 94GHz帯パッシブイメージセンサの開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 広帯域整合技術を用いた90GHz InP HEMT抵抗整合型増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 1.4THz利得帯域積超広帯域プリアンプIC
- CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-5 0.1-μm InP HEMTによる85-GHz 15.5-dBm分布型増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-14 空間構造InP HEMTのワイドゲート化による雑音特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 障壁層薄層化によるInP系HEMTの特性改善
- 横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上
- InAlAs障壁層薄層化によるInP系HEMTのソース抵抗低減および相互コンダクタンス向上
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上,AWAD2006)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上
- C-10-5 InP HEMT技術を用いたCMU付きフルレート4:1マルチプレクサ(C-10.電子デバイス)
- 自己発熱効果を含むHBTシミュレーションモデル
- C-2-15 フリップチップ実装を用いた38/76GHzシングルバランス型周波数逓倍器
- 非線形HEMTモデルの検討
- SC-10-1 超高周波MMICパッケージング技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- W帯MMIC多段増幅器
- インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
- 70GHz広帯域分布増幅器
- 超高速IC用InP HEMTデバイス・プロセス技術
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- C-10-16 InP-HEMTを用いた400Gbit/s動作 D-FF&MUX回路
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- 70GHz広帯域分布増幅器
- 70GHz広帯域分布増幅器
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- CT-2-2 ミリ波用InP HEMTの熱雑音抑制(CT-2.電子デバイスおよび集積システムにおける雑音の解析・抑制・応用に関する最先端技術-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-2-31 68-110GHz超広帯域増幅器の開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上
- CT-1-5 InP HEMT技術による100Gbit/s動作ICの実現と将来展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUX IC(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- C-10-15 43Gbit/s動作InP-HEMT/D-FF回路の低電圧化
- InP系HEMTの低雑音化とミリ波応用
- C-10-3 InP-HEMTを用いた63Gbit/s動作1:2デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
- InP系HEMT技術を用いた43Gb/sフルレート4:1マルチプレクサ
- InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP系HEMTによる超高速低消費電力IC技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- C-2-23 65nm CMOSを用いたシングルチップK帯パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-10-13 非対称リセスInP HEMTによるミリ波LNAの雑音改善手法(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器 (電子デバイス)
- ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)