大西 裕明 | (株)富士通研究所

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概要

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• 大西 裕明

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  富士通研究所

• 渡邊 祐

  (株)富士通研究所

• 渡邊 祐

  株式会社富士通研究所

• 濱野 宏

  富士通研究所

• 濱野 宏

  (株)富士通研究所

• 渡辺 祐

  富士通研

• 山浦 新司

  (株)富士通研究所rf設計部

• 藤井 俊夫

  富士通研究所

• 常信 和清

  (株)富士通研究所

• 加藤 真一

  富士通カンタムデバイス

• 井原 毅

  (株)富士通研究所

• 小原 史朗

  (株)富士通研究所

• 山田 浩

  (株)富士通研究所

• 及川 陽一

  富士通北海道ディジタル・テクノロジ(株)

• 小原 史朗

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 館野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 加藤 眞一

  (株)富士通研究所

• 藤井 俊夫

  (株)富士通研究所

• 舘野 泰範

  (株)富士通

• 廣瀬 達哉

  (株)富士通研究所

• 友藤 博朗

  株式会社富士通研究所

• 友藤 博朗

  (株)富士通研究所

• 鈴木 俊秀

  (株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部

• 国兼 達郎

  富士通(株)

• 三川 孝

  富士通カンタムデバイス(株)

• 仲尾 拓弥

  富士通北海道ディジタル・テクノロジ株式会社

• 曽根辻 昇

  富士通(株)

• 鈴木 俊秀

  (株)富士通研究所

• 小野寺 裕幸

  (株)富士通研究所

• 山本 拓司

  (株)富士通研究所

• 及川 陽一

  (株)富士通研究所

• 深谷 順

  (株)富士通

• 仲尾 拓弥

  富士通北海道ディジタル・テクノロジ(株)

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著作論文

• 10Gb/sPreAmpIC内蔵APDモジュールの開発
• 10Gb/s光通信用HBT-ICチップセットの開発
• 自己発熱効果を含むHBT過渡解析モデル
• 自己発熱効果を含むHBTシミュレーションモデル
• InGaP/GaAs HBTを用いた10Gb/s光通信用ICの開発
• AlGaAS/GaAsHBTにおける低電圧動作のためのコレクタ構造の検討
• 低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT

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