低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT

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概要

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• HBTは、その優れた高周波特性と共に、電力利得が大きいこと、高効率であること、パワー密度が高いこと、1/fノイズが小さいことなどからマイクロ波通信用デバイスとして、非常に注目されている。また近年、移動体通信機器の小型化、長時間動作の要求に伴い、マイクロ波帯高出力増幅素子の高効率化、低電圧動作化が望まれている。今回、我々はセルフアライン型AlGaAs/GaAs HBTを試作し、周波数900MHz、コレクタ電圧3.5Vにおいて、出力1W,コレクタ効率約70%が得られ、さらにコレクタ電圧2Vにおいても効率65%以上が得られたので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-09-26

著者

• 藤井 俊夫

  富士通研究所

• 常信 和清

  (株)富士通研究所

• 加藤 真一

  富士通カンタムデバイス

• 小原 史朗

  (株)富士通研究所

• 山田 浩

  (株)富士通研究所

• 大西 裕明

  (株)富士通研究所

• 小原 史朗

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 館野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 大西 裕明

  富士通研究所

• 加藤 眞一

  (株)富士通研究所

• 藤井 俊夫

  (株)富士通研究所

• 舘野 泰範

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