滝川 正彦 | 株式会社富士通研究所

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概要

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• 滝川 正彦

  (株)富士通研究所

• 滝川 正彦

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• 中舎 安宏

  株式会社富士通研究所

• 長原 正樹

  富士通カンタムデバイス

• 常信 和清

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  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 牧山 剛三

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• 原 直紀

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  富士通(株)

• 廣瀬 達哉

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• 高橋 英徳

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 五十嵐 武士

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 多木 俊裕

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• 中舎 安宏

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• 深谷 潤

  富士通カンタムデバイス

• 中舎 安宏

  富士通株式会社

• 澤田 憲

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• 舘野 泰範

  富士通カンタムデバイス

• 澤田 憲

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• 館野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 加納 英樹

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• 深谷 潤

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 原 直紀

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 山浦 新司

  (株)富士通研究所rf設計部

• 川野 陽一

  富士通株式会社

• 山浦 新司

  株式会社富士通研究所

• 川野 陽一

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
• E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
• C-10-5 InP HEMT技術を用いたCMU付きフルレート4:1マルチプレクサ(C-10.電子デバイス)
• 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
• 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
• 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
• C-10-3 InP-HEMTを用いた63Gbit/s動作1:2デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
• 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

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