澤田 憲 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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澤田 憲
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
富士通株式会社
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
高橋 剛
(株)富士通研究所
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澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
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滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
富士通株式会社
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廣瀬 達哉
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
(株)富士通研究所
-
中舎 安宏
(株)富士通研究所
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鈴木 俊秀
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
-
鈴木 俊秀
(株)富士通研究所高速ICテクノロジ研究部
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加納 英樹
株式会社富士通研究所
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廣瀬 達哉
富士通研究所
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高橋 剛
富士通研究所
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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廣瀬 達哉
富士通株式会社
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多木 俊裕
株式会社富士通研究所
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牧山 剛三
株式会社富士通研究所
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高橋 剛
株式会社富士通研究所
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西 真弘
富士通カンタムデバイス(株) 先端技術開発部
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荒井 知之
(株)富士通研究所
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牧山 剛三
富士通研究所
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澤田 憲
株式会社富士通研究所
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滝川 正彦
株式会社富士通研究所
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鈴木 俊秀
株式会社富士通研究所
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西 眞広
富士通カンタムデバイス(株)
-
澤田 憲
富士通研究所
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西 真弘
富士通カンタムデバイス(株)
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加納 英樹
(株)富士通研究所
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原 直紀
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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高橋 剛
富士通株式会社
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五十嵐 美和
富士通研究所
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原 直紀
富士通研究所
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中舎 安宏
富士通研究所
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滝川 正彦
富士通研究所
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川野 陽一
富士通株式会社
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鈴木 俊秀
富士通研究所
-
川野 陽一
(株)富士通研究所
-
野崎 耕司
富士通研究所
-
今 純一
富士通研究所
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西 眞弘
富士通カンタムデバイス株式会社
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SAWADA K.
Fujitsu Laboratories Ltd.
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川野 陽一
株式会社富士通研究所
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加納 英樹
富士通研究所
著作論文
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制
- i線露光による0.1μmゲート長InP HEMTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- InP-HEMTを用いた超低消費電力(0.5W以下)50Gb/sフルレート4:1MUX、1:4DEMUXIC
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2:1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMT技術を用いた100-Gbit/s 2 : 1マルチプレクサと80-Gbit/s D-FF
- InP HEMTを用いた超高速デジタルIC
- InP HEMT を用いた超高速デジタルIC
- InP系HEMT技術を用いた43Gb/sフルレート4:1マルチプレクサ
- 寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)