i線露光による0.1μmゲート長InP HEMTの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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i線光露光を用いてT型0.1μmゲート長InP HEMTを作製できるPATRASH(PAttern TRAnsfer Shrink:パタン転写縮小)プロセスを開発した。i線光露光を用いることによって電子線露光に比べ高スループットプロセスを実現できた。開発したプロセスにはフォトレジスト開口の縮小、多層レジストのドライエッチング、PMMAレジスト開口の縮小という3つの重要な工程がある。ゲート長の制御性はIC作製に十分なものが得られた。PATRASHプロセスを用いて作製されたT型0.1μmゲート長InP HEMTの特性は相互コンダクタンス880mS/mm、電流利得遮断周波数202GHzを示し、電子線露光によって作製された同程度のゲート長を有するInP HEMTと同等の特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-07
著者
-
五十嵐 美和
富士通研究所
-
高橋 剛
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通研究所
-
澤田 憲
(株)富士通研究所
-
野崎 耕司
富士通研究所
-
澤田 憲
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
今 純一
富士通研究所
-
澤田 憲
富士通研究所
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