ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-11-10
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
牧山 剛三
富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通研究所
-
渡部 慶二
富士通研究所
-
西森 理人
富士通研究所
-
山田 敦史
富士通研究所
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