基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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半絶縁性SiC基板に比べ低コスト化を可能とする3インチ導電性n型SiC基板上にAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した.3インチN型SiC基板上にHVPE法により10μm程度の厚いAlNバッファ層を成長したがウェハーの反りを20μm以下であった.作製したGaN HEMT増幅器の特性としてドレイン電圧60V, 周波数2GHzで出力7.0W/mm, 電力付加効率(PAE)70%が得られた.PAEの標準偏差も面内で3.0ポイントと良好であった.
- 2006-01-12
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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