導電性n型SiC基板上に作製したAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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半絶縁性SiC基板に比べ低コストな導電性n型SiC基板上にAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した。N型SiC基板上にHVPE法により10μm程度の厚いAINバッファ層を成長することで、寄生成分の影響を抑制できた。作製したGaN HEMT増幅器の特性としてドレイン電圧60V、周波数2GHzで出力5.2W/mm、電力付加効率(PAE)56%が得られた。また、これらのデバイス特性とAINおよびHEMTエピの結晶品質に相関があることがわかった。
- 2005-06-03
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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