低オン電圧動作GaN SBDへのCu_2Oエッジ終端構造の適用
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概要
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- 2012-03-07
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
岡本 直哉
富士通
-
吉川 俊英
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通研究所
-
岡本 直哉
富士通研究所
-
金村 雅仁
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
-
渡部 慶二
富士通研究所
-
今田 忠紘
富士通研究所
-
美濃浦 優一
富士通研究所
-
今田 忠紘
株式会社富士通研究所
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