絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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Si_3N_4絶縁ゲートを有するn-GaN/n-AlGaN/i-GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製してその電流コラプスを評価した。絶縁ゲート構造においても絶縁膜堆積条件を検討することで電流コラプスを抑制できることが分かった。電流コラプスを抑制した結果66%のPAEを実現した。また、GaN HEMT増幅器(1チップ)の特性としてドレイン電圧50V、周波数2.5GHzで出力147Wが得られた。MIS-HEMTの順方向ゲートストレス試験を行なった結果、ゲート電圧+10Vを24h印加し続けてもゲート特性が劣化しないことが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-10
著者
-
今西 健治
富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
岡本 直哉
富士通
-
吉川 俊英
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社
-
金村 雅仁
富士通(株)
-
多木 俊裕
富士通(株)
-
今西 健治
富士通(株)
-
牧山 剛三
富士通(株)
-
岡本 直哉
富士通(株)
-
吉川 俊英
富士通(株)
-
常信 和清
富士通(株)
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
原 直紀
富士通(株)
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
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