効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
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概要
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本論文では0.25μm GaN-HEMTを用いた超100W出力のX帯高出力増幅器および0.8μm GaN-HEMTを用いた超340W出力のC帯高出力増幅器について報告する。増幅器は2チップ構成とし、帯域を拡大するために3段のインピーダンス変換回路を用いた。チップ直近の入出力の伝送線路は高周波における熱不均一を抑制するために各々のチップに対して4分割した構造とした。この結果、9.8GHzにおいて101Wの出力と53%の電力付加効率を得た。これはこれまでに報告されている超50W出力のX帯増幅器で最高の付加効率である。また4.8GHzにおいて343Wの出力と53%の電力付加効率を得た。これもまたこれまでに報告されている1パッケージC帯高出力増幅器で最高の出力である。
- 2009-09-18
著者
-
重松 寿生
(株)富士通研究所
-
赤瀬川 章彦
(株)富士通研究所
-
増田 哲
富士通研究所
-
今西 健治
富士通研究所
-
井上 雄介
(株)富士通研究所
-
増田 哲
(株)富士通研究所
-
山田 全男
(株)富士通研究所
-
金村 雅仁
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
(株)富士通研究所
-
牧山 剛三
(株)富士通研究所
-
岡本 直哉
(株)富士通研究所
-
今西 健治
(株)富士通研究所
-
吉川 俊英
(株)富士通研究所
-
常信 和清
(株)富士通研究所
-
原 直紀
(株)富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通
-
牧山 剛三
富士通
-
岡本 直哉
富士通
-
重松 寿生
富士通研究所
-
吉川 俊英
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社
-
原 直紀
株式会社富士通研究所
-
多木 俊裕
富士通株式会社 電子デバイス事業本部
-
吉川 俊英
富士通研究所
-
原 直紀
富士通研究所
-
今西 健治
富士通
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
赤瀬川 章彦
富士通株式会社
-
牧山 剛三
株式会社 富士通研究所
-
今西 健治
富士通研
-
増田 哲
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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