E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
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概要
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新開発のエンハンスメント型FETチップを用いて、IMT-2000基地局用150W出力FETを開発した。2.2GHzにおいて飽和出力51.8dBm(150W)、線形利得12dBを達成した。また、2波入力時に、47dBm出力点において3次相互変調歪み-36dBc、その時の電力付加効率35%を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
-
高橋 英徳
富士通カンタムデバイス株式会社
-
五十嵐 武士
富士通カンタムデバイス株式会社
-
滝川 正彦
(株)富士通研究所
-
深谷 潤
富士通カンタムデバイス
-
長原 正樹
富士通カンタムデバイス
-
舘野 泰範
富士通カンタムデバイス
-
中舎 安宏
富士通カンタムデバイス株式会社
-
常信 和清
富士通カンタムデバイス株式会社
-
滝川 正彦
富士通カンタムデバイス株式会社
-
常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
-
深谷 潤
富士通カンタムデバイス株式会社
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