W-CDMA基地局用4W-MMIC増幅器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-03-07
著者
-
高橋 英徳
富士通カンタムデバイス株式会社
-
深谷 潤
富士通カンタムデバイス
-
井上 和孝
富士通カンタムデバイス株式会社
-
Konig Fredy
FME
-
蛯原 要
富士通カンタムデバイス株式会社
-
清水 治夫
富士通カンタムデバイス株式会社
-
清水 治夫
富士通カンタムデバイス
-
深谷 潤
富士通カンタムデバイス株式会社
-
井上 和孝
住友電気工業株式会社
関連論文
- マルチメディア・ミリ波無線モジュール(4) : バッファアンプの採用のよる低コスト化
- 無線アクセス用高出力・高利得PAMMICモジュールの開発
- 無線アクセス用高出力・高利得PAMMICモジュールの開発
- C-2-50 高効率K帯電力増幅MMIC
- 25KゲートGaAsゲートアレー
- W-CDMA基地局用4W-MMIC増幅器
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- E-mode型、150W出力IMT-2000基地局用GaAs FET
- C-10-9 WLL基地局用2.5GHz帯120W低歪み GaAs FET
- マイクロ波帯パワ-デバイスの最新技術 (特集:化合物半導体)
- 14GHz帯4W電力増幅用MMIC Module
- C-10-1 GaN HEMT電流コラプス低減のための一検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 移動体通信用高効率パワーデバイス (特集 インターネットを支える化合物半導体デバイス)
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性