L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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L/S帯GaN HEMTの耐久性および信頼性を評価した.耐久性に関しては,チャネル温度200℃での動作において十分広い安全動作領域を得た.当社GaN HEMTの3端子耐圧は,逆F級動作のシミュレーションより求められる最大ドレイン-ソース電圧160Vを十分満たしていた.また,電圧定在波比試験,およびRFステップストレス試験では,破壊に至るような不良や特性の劣化は確認されなかった.信頼性に関しては,5000時間の高温DC動作寿命試験を行い,チャネル温度200℃における平均故障時間は1.07×10^6時間と見積もられた.これらの結果は,当社のGaN HEMTが高出力用途において十分な耐久性と信頼性を有することを示すものである.
- 2012-01-04
著者
-
宇井 範彦
ユーディナデバイス株式会社
-
蛯原 要
富士通カンタムデバイス株式会社
-
八巻 史一
富士通カンタムデバイス株式会社
-
西 眞弘
ユーディナデバイス株式会社
-
八巻 史一
ユーディナデバイス株式会社
-
生松 均
ユーディナデバイス株式会社
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佐野 征吾
住友電気工業株式会社
-
井上 和孝
住友電気工業株式会社
-
新田 敦
ユーディナデバイス株式会社
-
八巻 史一
住友電気工業
-
西 眞弘
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
-
菊池 憲
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
生松 均
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
-
宇井 範彦
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
-
蛯原 要
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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新田 敦
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
-
菊池 憲
住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所
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