C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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次世代地上通信向けとしてC帯に最適化された高電圧動作GaAs FETを開発した。寄生容量の削減という視点から電極構造の最適化を行ない、C帯において高利得なFETを開発した。ゲート抵抗の最小化と熱抵抗の観点からユニットゲート幅325umとした。本試作においてΓ-Gate構造によって耐圧55V(BVgd)を達成、f=5.5GHz、VDS=26V動作にてパワー密度0.79W/mm, Wgt=31.2mm, 3.4x0.9mm, 1chipにおいて25Wの出力が得られた。また、このFETを4合成し100W FETを試作したのでその結果についても報告する。
- 2005-01-11
著者
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佐野 征吾
ユーディナデバイス株式会社
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五十嵐 勉
ユーディナデバイス株式会社
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山本 高史
ユーディナデバイス株式会社
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佐野 征吾
住友電気工業株式会社
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井上 和孝
ユーディナデバイス株式会社
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前川 新
ユーディナデバイス株式会社
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高瀬 信太郎
ユーディナデバイス株式会社
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