10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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X帯高出力アプリケーション用にAlGaN/GaN HEMTデバイスを開発した。既に製品化されたL/S帯AlGaN/GaN HEMT技術を使い、X帯における高利得、高出力なチップを開発した。本試作においてチップを2合成しf=9.5〜10.5GHz、VDS=40V、パルス動作で、線形利得9.6dB、飽和出力60Wを達成した。またチップを4合成しf=10GHzで最大飽和出力電力87Wを達成したので同時に報告をする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-09
著者
-
佐野 征吾
ユーディナデバイス株式会社
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山本 高史
ユーディナデバイス株式会社
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西 眞弘
ユーディナデバイス株式会社
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西原 信
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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佐野 征吾
住友電気工業株式会社
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西原 信
ユーディナデバイス株式会社
-
井上 和孝
ユーディナデバイス株式会社
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