山本 高史 | ユーディナデバイス株式会社

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概要

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• 山本 高史

  ユーディナデバイス株式会社

• 佐野 征吾

  住友電気工業株式会社

• 佐野 征吾

  ユーディナデバイス株式会社

• 西原 信

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 井上 和孝

  ユーディナデバイス株式会社

• 水野 慎也

  住友電気工業株式会社

• 山本 高史

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 前川 新

  ユーディナデバイス株式会社

• 五十嵐 勉

  ユーディナデバイス株式会社

• 長谷川 裕一

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 長谷川 裕一

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 西 眞弘

  ユーディナデバイス株式会社

• 西原 信

  ユーディナデバイス株式会社

• 高瀬 信太郎

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• 長谷川 裕一

  住友電工デバイスイノベーション株式会社

• 水野 慎也

  住友電工株式会社

• 佐野 征吾

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• 山本 洋

  北里大学自然科学教育センター

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• 山田 文生

  住友電気工業株式会社

• 山本 洋

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著作論文

• C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-10-7 C帯広帯域アンプ用GaN HEMTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-12 S帯,100W高効率GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般講演)
• X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

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