佐野 征吾 | 住友電気工業株式会社

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• 佐野 征吾

  住友電気工業株式会社

• 佐野 征吾

  ユーディナデバイス株式会社

• 山本 高史

  ユーディナデバイス株式会社

• 水野 慎也

  住友電気工業株式会社

• 西原 信

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 宇井 範彦

  ユーディナデバイス株式会社

• 西 眞弘

  ユーディナデバイス株式会社

• 井上 和孝

  ユーディナデバイス株式会社

• 井上 和孝

  住友電気工業株式会社

• 八巻 史一

  住友電気工業

• 西 眞弘

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 菊池 憲

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 生松 均

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

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• 蛯原 要

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 新田 敦

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 菊池 憲

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 佐野 博昭

  ユーディナデバイス株式会社

• 水野 慎也

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• 前川 新

  ユーディナデバイス株式会社

• 青嶋 真

  ユーディナデバイス株式会社

• 三谷 英三

  ユーディナデバイス株式会社

• 三谷 英三

  ユーディナデバイス

• 五十嵐 勉

  ユーディナデバイス株式会社

• 長谷川 裕一

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 長谷川 裕一

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 二階堂 淳一朗

  ユーディナデバイス株式会社

• 蛯原 要

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 八巻 史一

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 安達 信雄

  ユーディナデバイス株式会社

• 川野 明弘

  ユーディナデバイス株式会社

• 八巻 史一

  ユーディナデバイス株式会社

• 生松 均

  ユーディナデバイス株式会社

• 西原 信

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• 高瀬 信太郎

  ユーディナデバイス株式会社

• 新田 敦

  ユーディナデバイス株式会社

• 川野 明弘

  住友電工デバイス・イノベーション

• 長谷川 裕一

  住友電工デバイスイノベーション株式会社

• 水野 慎也

  住友電工株式会社

• 佐野 征吾

  住友電工株式会社

• 山本 洋

  北里大学自然科学教育センター

• 舘野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 館野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 山田 文生

  住友電気工業株式会社

• 山本 洋

  住友電気工業株式会社

• 井上 和孝

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 佐野 征吾

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 八巻 史一

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

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著作論文

• 携帯電話基地局用窒化ガリウム電力増幅器(GaN HEMT)の開発
• S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ
• W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-2-14 S帯,800W高効率AlGaN/GaN HEMT(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-10-13 AlGaN/GaN HEMTを用いたL帯広帯域パワーアンプモジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-18 AlGaN/GaN HEMTの高温動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-10-7 C帯広帯域アンプ用GaN HEMTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-12 S帯,100W高効率GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般講演)
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性

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