菊池 憲 | 住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

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概要

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• 住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 佐野 征吾

  住友電気工業株式会社

• 井上 和孝

  住友電気工業株式会社

• 八巻 史一

  住友電気工業

• 西 眞弘

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 菊池 憲

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 生松 均

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 宇井 範彦

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 蛯原 要

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 新田 敦

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 菊池 憲

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 宇井 範彦

  ユーディナデバイス株式会社

• 蛯原 要

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 八巻 史一

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 西 眞弘

  ユーディナデバイス株式会社

• 八巻 史一

  ユーディナデバイス株式会社

• 生松 均

  ユーディナデバイス株式会社

• 新田 敦

  ユーディナデバイス株式会社

• 井上 和孝

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 佐野 征吾

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 八巻 史一

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

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著作論文

• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性

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