八巻 史一 | ユーディナデバイス株式会社

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概要

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関連著者

• 八巻 史一

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 八巻 史一

  ユーディナデバイス株式会社

• 生松 均

  ユーディナデバイス株式会社

• 西 眞弘

  ユーディナデバイス株式会社

• 川田 春雄

  ユーディナデバイス株式会社

• 蛯原 要

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 舘野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 石井 和明

  ユーディナデバイス株式会社

• 新田 敦

  ユーディナデバイス株式会社

• 宇井 範彦

  ユーディナデバイス株式会社

• 佐野 征吾

  住友電気工業株式会社

• 井上 和孝

  住友電気工業株式会社

• 八巻 史一

  住友電気工業

• 西 眞弘

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 菊池 憲

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 生松 均

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 宇井 範彦

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 蛯原 要

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 新田 敦

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 菊池 憲

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 高橋 英徳

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 五十嵐 勉

  ユーディナデバイス株式会社

• 井上 和孝

  ユーディナデバイス株式会社

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著作論文

• C-10-9 WLL基地局用2.5GHz帯120W低歪み GaAs FET
• L帯28V動作GaAsFETの開発および製品化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

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