L帯28V動作GaAsFETの開発および製品化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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28V動作可能なL帯GaAsFETを開発しその製品化に成功した。このFETの主な特徴はゲート構造が非対称な形を有していることである。このゲート構造を採用し、かつゲート形成工程での製造ばらつきを0.1μm以内に管理することで80.5Vのゲート・ドレイン間二端子耐圧(BVgdo)、標準偏差1.4Vと良好な再現性も得られた。このFETを用いたデバイスで250Wの飽和出力、15.5dBの線形利得、出力電力が46dBm時に25%のドレイン効率を達成した。加えてチャネル温度が145℃の時に4×10^6時間以上のMTTFが見積もられ、高い信頼性も確認された。
- 2005-06-03
著者
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五十嵐 勉
ユーディナデバイス株式会社
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八巻 史一
富士通カンタムデバイス株式会社
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八巻 史一
ユーディナデバイス株式会社
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生松 均
ユーディナデバイス株式会社
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川田 春雄
ユーディナデバイス株式会社
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井上 和孝
ユーディナデバイス株式会社
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新田 敦
ユーディナデバイス株式会社
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