五十嵐 勉 | ユーディナデバイス株式会社

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概要

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著作論文

• L帯28V動作GaAsFETの開発および製品化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

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