佐野 征吾 | ユーディナデバイス株式会社
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概要
関連著者
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佐野 征吾
ユーディナデバイス株式会社
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佐野 征吾
住友電気工業株式会社
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山本 高史
ユーディナデバイス株式会社
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井上 和孝
ユーディナデバイス株式会社
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佐野 博昭
ユーディナデバイス株式会社
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ユーディナデバイス株式会社
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青嶋 真
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三谷 英三
ユーディナデバイス株式会社
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三谷 英三
ユーディナデバイス
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五十嵐 勉
ユーディナデバイス株式会社
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宇井 範彦
ユーディナデバイス株式会社
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水野 慎也
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二階堂 淳一朗
ユーディナデバイス株式会社
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安達 信雄
ユーディナデバイス株式会社
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ユーディナデバイス株式会社
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水野 慎也
住友電気工業株式会社
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西原 信
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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ユーディナデバイス株式会社
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住友電工デバイス・イノベーション
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舘野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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ユーディナデバイス株式会社
著作論文
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- W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-14 S帯,800W高効率AlGaN/GaN HEMT(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-10-13 AlGaN/GaN HEMTを用いたL帯広帯域パワーアンプモジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-18 AlGaN/GaN HEMTの高温動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C帯、高利得5.5GHz, 26V動作25W GaAsFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-12 S帯,100W高効率GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般講演)