S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ
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概要
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我々はAlGaN/GaN HEMTを用いS帯ハイパワーパレットアンプを開発した。開発したパレットアンプは、パルス幅200μs・Duty=10%のゲートパルス条件下で、周波数2.9GHz-3.3GHzの400MHz帯域・ドレイン電圧65Vで飽和出力約800W・ドレイン効率52%以上を達成した。ドレイン電圧80V・周波数3.2GHzにおいては1kWの出力を記録した。また、過渡熱抵抗を用いた熱解析と、赤外線カメラによる実測定の結果、ハイパワーレーダーアプリケーション用途で、熱的に十分余裕があることが確認できた。
- 2008-08-21
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