X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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X帯高出力アプリケーション用に200W GaN HEMTデバイスを開発した。そのデバイスはゲート長0.4um、ゲート幅16mmのチップを4合成し、入出力共2段でインピーダンス変換し50ohm整合したデバイスである。我々の開発したGaN HEMTデバイスはf=9.3GHz、Vds=32V、パルス動作で線形利得12dB、最大飽和出力電力204W、電力負荷効率32%を達成したので報告する。
- 2012-01-04
著者
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長谷川 裕一
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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長谷川 裕一
富士通カンタムデバイス株式会社
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山本 高史
ユーディナデバイス株式会社
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水野 慎也
住友電気工業株式会社
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山本 高史
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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西原 信
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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佐野 征吾
住友電気工業株式会社
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長谷川 裕一
住友電工デバイスイノベーション株式会社
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水野 慎也
住友電工株式会社
-
佐野 征吾
住友電工株式会社
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