W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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ドレイン電源電圧50VのGaN HEMTを用いた無線通信基地局用ドハティパワーアンプを2種類開発した。始めに飽和出力57.5dBm(560W)を有する2.1GHz帯ドハティパワーアンプを設計し、さらに飽和出力54dBm(250W)を有する2.5GHz帯ドハティパワーアンプを開発した。両ドハティパワーアンプは、6dBバックオフ出力点において50%以上のドレイン効率を示した。ドハティ回路は正確な大信号モデルを用いて設計され、実測データとシミュレーション結果は良く一致した。筆者らはデジタルプレディストーションシステムを用いて線形性を評価し、一般的なW-CDMA2キャリア信号(PAR=7.8dB)を使用して8dBバックオフ出力点において46%以上のドレイン効率と隣接チャネル漏洩電力抑圧比-54dBc以下を達成した。これらの優れた特性は、GaN HEMTを用いたドハティパワーアンプが無線通信基地局に適することを示したと言える。
- 2008-01-09
著者
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