AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

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概要

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• GaN HEMTエピタキシャルウエハ上には、SiC基板に起因する欠陥が多く存在している。これらの欠陥は、その上に形成されたデバイスのリーク電流の増加やRF特性の劣化といった不具合を引き起こす。そのため、AlGaN/GaN HEMTを量産するにあたっては、欠陥上に形成されたチップの選別が非常に重要になってくる。我々はさまざまなDCパラメータを測定し、その中でピンチオフ時のドレインリーク電流の分布とウエハ上の欠陥が非常によく対応することを確認した。製造工程におけるオンウエハDC試験でドレインリーク電流を測定することで、これら異常チップを十分に選別することができる。この選別方法の適用によって、我々は信頼性の高い安定したAlGaN/GaN HEMTの量産が可能になった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-11-09

著者

• 八巻 史一

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 舘野 泰範

  ユーディナデバイス株式会社

• 石井 和明

  ユーディナデバイス株式会社

• 西 眞弘

  ユーディナデバイス株式会社

• 八巻 史一

  ユーディナデバイス株式会社

• 生松 均

  ユーディナデバイス株式会社

• 川田 春雄

  ユーディナデバイス株式会社

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