2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)

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概要

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• 携帯電話基地局用に2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプを開発した.本ドハティアンプは105W級の窒化ガリウム(GaN)をメインアンプに,160W級のGaNをピークアンプに用いて構成され,2.5GHz-2.7GHzの200MHz帯域で飽和出力電力54.3dBm(269W)以上,バックオフ時のドレイン効率45%以上を達成したので報告する

• 2013-01-10

著者

• 宇井 範彦

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 出口 博昭

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 渡辺 直樹

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

• 由村 典宏

  住友電工デバイス・イノベーション株式会社

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