松井 敏明 | 通信総合研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 通信総合研究所の論文著者

関連著者

• 松井 敏明

  通信総合研究所

• 松井 敏明

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 松井 敏明

  独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 篠原 啓介

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 彦坂 康己

  富士通研究所

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc

• 篠原 啓介

  通信総合研究所

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校

• 李 可人

  (独)情報通信研究機構

• 李 可人

  通信総合研究所

• 東脇 正高

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 東脇 正高

  独立行政法人情報通信研究機構

• 東脇 正高

  カリフォルニア大 サンタバーバラ校

• 遠藤 聡

  富士通研究所

• 山下 良美

  富士通研究所

• 三村 高志

  富士通研究所

• 清川 雅博

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 安田 浩朗

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 広瀬 信光

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 村田 正望

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 広瀬 信光

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 松井 敏明

  情報通信研究機構

• 彦坂 康己

  富士通株式会社

• 山下 良美

  富士通株式会社

• 遠藤 聡

  富士通株式会社

• 三村 高志

  富士通株式会社

• 冷水 佐壽

  大阪大学基礎工学部

• 松井 敏明

  独立行政法人 情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 笠松 章史

  (独)情報通信研究機構

• 笠松 章史

  通信総合研究所

• 湯 建輝

  通信総合研究所無線通信部門

• 松井 敏明

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスg

• 池田 圭司

  半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 池田 圭司

  富士通研究所

• 湯 建輝

  University College London

• 笠松 章史

  独立行政法人情報通信研究機構

• 笠松 章史

  情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 赤池 正巳

  東京理科大学工学部電気工学科

• 井筒 雅之

  通信総合研究所

• 井筒 雅之

  (独)情報通信研究機構

• 栗田 大輔

  東京理科大学

• 歌川 仁史

  通信総合研究所

• 程 崇虎

  通信総合研究所 基礎先端部門

• 歌川 仁史

  独立行政法人情報通信研究機構

• 彦坂 康己

  (株)富士通研究所

• 栗田 大輔

  東京工業大学

• 遠藤 聡

  富土通研究所

• 山下 良美

  富土通研究所

• 彦坂 康己

  富土通研究所

• 三村 高志

  富土通研究所

• 河西 和美

  (株)富士通研究所

• 栗田 大輔

  東京工業大学:独立行政法人情報通信研究機構

• 赤池 正己

  東京理科大学工学部電気工学科

• 赤池 正巳

  東京理科大学工学部

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著作論文

• UWBシステムとその装置化における課題
• SA-3-9 UWB アンテナ特性の周波数領域・時間領域測定
• B-1-244 背面給電共平面パッチアンテナ
• ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
• B-1-92 共平面パッチアンテナ
• RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
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• C-10-2 ロードプル法で評価した量子バリアバラクダの3逓倍波発生特性
• 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
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• C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
• 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
• 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
• 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価

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