薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30GHzパワー特性 : AlGaN障壁層薄層化の影響
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概要
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- 2011-12-07
著者
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東脇 正高
情報通信研究機構
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PEI Yi
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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東脇 正高
情報通信研究機構 未来ICT研究所
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CHU Rongming
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
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MISHRA Umesh
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
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PEI Yi
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
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