30a-P-11 (411)AGaAs基板上にMBE成長したGaAs/AlAsヘテロ構造の界面評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1999-03-28

著者

• 下村 哲

  阪大院基礎工

• 冷水 佐壽

  阪大院基礎工

• 北山 雅樹

  阪大院基礎工

• 林 英樹

  阪大院基礎工

• 平岡 徹也

  阪大院基礎工

• 渡辺 一世

  阪大院基礎工

• 北田 貴弘

  阪大院基礎工

関連論文

• 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
• 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
• 30a-P-11 (411)AGaAs基板上にMBE成長したGaAs/AlAsヘテロ構造の界面評価
• 30a-P-8 (411)GaAs基板上のAlAsコラゲーション上にMBE成長したGaAs表面のAFM観察
• 27aZC-11 (411)Aおよび(100)基板上 GaAs/AlGaAs量子井戸からの磁気発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-8 GaAs/AlGaAs 量子井戸からの磁気発光スペクトル (411) A および (100) 基板上(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 25pD-6 (411)A GaAs基板上GaAs/AlGaAs量子ドットの顕微分光
• 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
• 20pPSB-9 GaAs/AlGaAsピラミッド型構造におけるカソードルミネッセンス特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24pSB-8 (411)A GaAs/AlGaAs界面の磁気PLによる評価
• 24aT-5 GaAs段差基板上にMBE成長したGaAsPにおけるV族原子の表面マイグレーション
• 24pL-3 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs変調ドープ量子井戸の磁気PL(2) : 磁場強度依存性とラフネスのフーリエ成分
• 23aK-12 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの強磁場中での電流-電圧特性
• 25pD-13 (411)A InP基板上にMBE成長したInGaAs/InAlAs三重障壁共鳴トンネルダイオード
• 25pD-9 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs変調ドープ量子井戸の磁気PL
• 25pPSA-67 リソグラフィ技術によるミクロンサイズDAC用物性測定プローブ開発(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pWE-5 (221)A In GaAs超高均一量子細線のホトルミネッセンス励起スペクトル(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24pWE-11 (411)A In GaAs変調ドープ量子井戸の磁気ホトルミネッセンスによる界面評価(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク