24pWE-11 (411)A In GaAs変調ドープ量子井戸の磁気ホトルミネッセンスによる界面評価(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 下村 哲

  阪大院基礎工

• 冷水 佐壽

  阪大院基礎工

• 北田 貴弘

  阪大院基礎工

• 堀田 高史

  阪大院基礎工

• 坂 直樹

  阪大院基礎工

• 岡田 正雄

  阪大院基礎工

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