正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
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概要
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正四面体溝底に自己組織的に形成した量子ドット1個をフローティングゲートとし、その中に蓄積される電荷数を溝側壁のHEMTチャネル電流で読みだす単一量子ドットメモリの基本動作について述べる。特にこのメモリの電気的および光学的書き込み特性について紹介し、蓄積電荷数制御という究極の多値メモリ動作の可能性について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-21
著者
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
杉山 芳弘
富士通株式会社
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通研
-
粟野 祐二
富士通株式会社
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
島 昌司
富士通株式会社
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