極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測
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概要
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低エネルギーイオン注入法を用いて、均一なサイズと深さ方向の位置を持つSn及びSbナノクリスタルをSi基板上の極薄熱酸化膜中に作製した。低エネルギーイオン注入により一定の深さのみに一定のドーズ量を実現できた事と遷移領域近傍の歪の影響が、形成された金属ナノクリスタルのサイズと位置の均一性に寄与していると考えられる。これらのSnまたはSbナノクリスタルを含む構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において、4.2Kで明瞭なクーロステアケースと0V近傍の電流抑制領域を観測した。この電流抑制領域は高温(77K)まで観測され、本研究において単一電子デバイスの実用化への可能性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-23
著者
-
中尾 宏
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
富士通研究所
-
中島 安理
(株)富士通研究所
-
二木 俊郎
(株)富士通研究所
-
臼杵 達也
(株)富士通研究所
-
堀口 直人
(株)富士通研究所
-
二木 俊郎
株式会社富士通研究所
-
堀口 直人
株式会社富士通研究所
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
中島 安理
(株)富士通研究所:(現)広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
臼杵 達哉
富士通研究所
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