単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
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概要
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- 2001-03-08
著者
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
杉山 芳弘
富士通株式会社
-
佐久間 芳樹
富士通株式会社
-
横山 直樹
富士通株式会社
-
粟野 祐二
富士通研
-
粟野 祐二
富士通株式会社
-
横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
島 昌司
富士通株式会社
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