半導体エピタキシャル成長のモニタと制御(<特集>アトミックルールプロセス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1990-07-05
著者
関連論文
- 走査プローブ加工法による100nmギャップ超高速光導電スイッチ
- 電気光学サンプリング法による進行方向電界の評価
- 電気光学サンプリング法による電界成分の測定
- EOサンプリング法によるフェムト秒電気パルス測定における電界クロストーク
- RHEED振動でみるGaAs(001)面微傾斜上におけるAs取り込み成長 : エピタキシーI
- 産学官プロジェクトとシミュレーション
- 30p-YA-5 赤外分光法と/ミリ波領域の課題 : THz電磁波のフェムト秒分光と産業/通信分野での応用
- 半導体エピタキシャル成長のモニタと制御(アトミックルールプロセス)
- B.A.Joyce : The Evaluation of Growth Dynamics in MBE Using Electron Diffraction