AlAs/GaAs分数超格子上に成長したInAs自己形成量子ドットのAFM観察
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概要
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AlGaAs混晶およびAlAs/GaAs分数超格子上におけるInAs自己形成量子ドットの形成について検討した。AlGaAs混晶上へのInAs自己形成量子ドットの成長においては、Al組成が大きいほどInAsの成長時の表面再脱離が大きくなっているという結果を得た。これは、AlAs表面とGaAs表面とで選択的にInAs成長が行えることを示唆する。次に、(AlAs)_<0.5>(GaAs)_<0.5>分数超格子をGaAs(001)面[110]2度オフ基板上に作製し、その上へInAs自己形成量子ドットの成長を試みたところ、量子ドットの形成は認められなかった。この原因として、自然に形成されるInAs量子ドットの大きさよりも、分数超格子の幅が狭いことが考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
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