24a-T-10 電子線誘起電流法を用いたシリコン中の転位の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-03-11
著者
-
角野 浩二
東北大金研
-
草薙 進
東北大 金研
-
関口 隆史
東北大金研
-
関口 隆史
東北大理
-
関口 隆史
東北大・金研
-
関口 隆史
金属材料研究所
-
草薙 進
東北大金研
-
関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
関連論文
- 29a-RC-4 窒素及び酸素を添加したシリコンの光吸収
- 2p-C-9 シリコン結晶中の転位挙動に対する固溶効果
- 7a-M-6 強力X線トポグラフィーによるSi中の転位の易動度のその場測定 II
- 7p-M-10 X線TVトポグラフィーによるSi中の転位の易動度のその場測定
- 特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(6)の企画にあたって
- K-Ga融液を用いた立方晶窒化ガリウムの作製
- 30p-ZN-10 n型及びP型シリコン中の鉄拡散の活性化エネルギー
- 29p-K-3 シリコン中の鉄 : インジウム対形成過程
- 24a-T-4 シリコン中の鉄-アクセプタ対の形成過程
- IndentationによりGe単結晶に導入された歪および転位配列のX線的研究 : 格子欠陥
- 31a-YC-2 シリコン中の水素・酸素・原子空孔複合体の形成過程
- 29p-YC-7 シリコン中の鉄・ホウ素対の光誘起反応
- 4p-YG-7 Si-Geバルク単結晶の育成とフォトルミネッセンスによる評価
- 4a-YG-4 シリコン中の鉄・アクセプター対再結合促進欠陥反応
- 4a-YG-2 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 29p-P-6 電子ビーム励起による半導体の欠陥評価 : CL, EBIC, SDLTS
- 14a-A-5 電子線照射により原子複空孔を導入したSiの陽電子消滅2次元角相関
- 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
- 13a-DK-4 Si中の複原子空孔に起因する赤外吸収
- 12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
- 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
- カーボンナノチューブのプラズマ CVD 合成のおける硫化水素の添加効果
- 第2回ナノスケール分光法とナノテクノロジーへの応用 : 国際ワークショップ報告
- 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
- フラックス法によるZnS結晶の育成と評価(機能性結晶IV)
- 水熱成長させた酸化亜鉛結晶の不純物添加効果 : 溶液成長I
- InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 26a-P-9 KOHフラックスによるZnO単結晶の育成と光学特性
- 29a-H-11 Si中の転位と不純物窒素との相互作用
- 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価 ([日本電子材料技術協会]第42回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
- 電子線誘起電流法(EBIC)による多結晶シリコンの粒界電気活性度の観察
- カソードルミネッセンス法
- カソ-ドルミネッセンス顕微法(III)応用
- カソードルミネッセンス顕微法 (II) 装置, 応用 (1)
- 正四面体溝を利用した量子ドット形成
- カソードルミネッセンス(CL)法
- カソードルミネッセンスによる半導体材料の電子構造の検討
- 電子ビ-ムによる半導体の微小領域の欠陥評価-CL/EBIC/SDITS-
- 8p-F-6 Ge結晶の塑性変形のdislocation dynamics
- 8p-F-5 Ge結晶の変形特性の温度および変形速度依存性
- 1p-TA-4 変形中のゲルマニウム中の転位分布とすべり帯分布との関係
- 11a-Q-8 変形中のGe単結晶における転位配列の変形速度依存性
- 11a-Q-7 前降伏段階に於けるGe単結晶中の転位配列の直接観察
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- 14a-G-1 Indentationによる変形をあたえたGe中の転位の挙動
- 30p-ZN-7 電子線誘起電流法を用いたSi中のらせん及び60°転位の電子状態の研究
- 24a-T-10 電子線誘起電流法を用いたシリコン中の転位の研究
- 27p-H-8 Si中の複原子空孔の陽電子消滅法を用いた研究
- 27a-ZN-4 塑性変形した半導体の陽電子消滅
- 28a-K-10 陽電子消滅法によるSi中の複原子空孔の研究
- 29a-RC-6 シリコンの格子振動と正孔の相互作用 : Fano効果
- 2p-T-5 シリコン結晶中の転位の不純物による固着
- 18M-7 Al-Ag合金の時効と塑性 II
- 12p-S-10 Si結晶中の酸素による転位の固着
- 2p-NJ-7 変形中のシリコンにおけるFaulted Dipoleの形成
- 4p-P-2 HVEM観察によるSi中の転位特性
- 31p-BB-13 高温におけるSi中の転位の動的挙動のその場観察
- 4a-N-4 変形したGeの熱伝導度
- 2p-G-4 Si中の転位による光伝導効果
- 31a-E-6 SiGe混晶中の金及び鉄のエネルギーレベル
- 3p-M-5 Si-Ge混晶中の深い不純物レベル
- 12a-L-10 変形を受けたInSb単結晶の内部摩擦
- 5p-N-8 変形を受けたInSb単結晶の低温における内部摩擦
- 11p-Q-12 変形を受けたGe単結晶の内部摩擦
- Cu薄膜結晶の塑性III(格子欠陥)
- 7a-M-7 MgOの高温強度の異常と転位の易動度
- 2p-F-12 Si中の新しい熱ドナーの光学的性質
- 4p-KM-4 InSb結晶の変形挙動の極性(III)
- 29a-H-10 塑性変形したP-SiのDLTS測定
- 2p-T-4 塑性変形したp型SiのHall効果
- 2a-C-12 変形したn-type Siの磁気抵抗効果
- 30p-J-7 Si中の転位の電気的性質
- 3a-NJ-9 転位速度に対する不純物の影響
- 2a-C-10 転位芯近傍の格子振動
- Cu薄膜結晶の塑性 II : 格子欠陥
- 11p-Q-3 塑性変形の定常状態の性質
- 7a-M-5 Siの塑性変形の転位動力学
- 双晶を含む結晶の機械的挙動 : 格子欠陥
- 31p-F-5 塑性変形及び電子線照射したInPの工学的性質 (II)
- 23a-L-6 InSb結晶の変形挙動の極性 II
- 23a-L-5 InSb結晶の変形挙動の極性 I
- 13a-L-9 InSbの変形挙動と転位動力学
- 7p-M-11 ゲルマニウム単結晶中の60゜転位の易動度
- 2p-T-3 変形したシリコンのフォトルミネッセンス(III) : 応力依存性
- 2p-Z-8 熱処理したシリコン添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 2p-F-13 Siを添加したGaAsのフォトルミネッセンス
- 12a-L-11 変形中の結晶における転位の運動状態 II
- 27p-K-4 砒化ガリウム中のEL2の消滅、生成
- 29a-RC-12 熱処理した砒化ガリウムの光吸収
- シリコン結晶中の転位の挙動
- 1p-M2-2 砒化ガリウム中のEL2生成過程(格子欠陥)
- 1a-D4-7 塑性変形したガリウムヒ素結晶のDLTS(1a D4 格子欠陥,格子欠陥)
- 1p-Q-10 Si中原子空孔クラスターの陽電子消滅2次元角相関(1pQ 金属,金属)
- 31p-T-6 塑性変形及び電子線照射したInPの光学的性質(31pT 格子欠陥)
- 31p-FA-8 過飽和に酸素を含むシリコン中の塑性変形ドナー(31p FA 格子欠陥)
- 30a-LG-5 シリコン中の窒素-酸素複合体形成過程(格子欠陥)
- 31a-P-2 ハロゲン架橋擬一次元白金錯体のESRとキンク構造(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))