格子間シリコン原子拡散のバックグラウンド炭素濃度依存性

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概要

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• シリコン中の炭素原子と格子間シリコン原子の関係を明らかにするために, 基板炭素濃度の異なるボロン超格子基板を用い過渡増速拡散(TED)に関する実験を行い, 格子間シリコン原子の有効拡散係数が炭素濃度の2乗に逆比例することを確認した。これは, 格子間シリコン原子と炭素原子2つからなる構造が大きな影響を与えているものと考えられる. そこで炭素原子2つを含む様々なシリコン原子モデルのエネルギーを第一原理計算を用いて計算し, 比較検討した. 計算結果から炭素クラスターによる格子間シリコン原子の拡散抑制の可能性を確認した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-08-26

著者

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 夏 建新

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 斎藤 朋也

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 斎藤 朋也

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 夏 建新

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 金 良守

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 小林 弘幸

  大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻

• 小林 弘幸

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 金 良守

  大阪大学工学部電子情報エネルギー工学科

• 小林 弘幸

  大阪大学大学院工学研究科

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