MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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バルクSiおよびMOSFET反転層における電子輸送を、分子動力学(MD)法を取り入れたアンサンブルモンテカルロ(EMC)シミュレーションを用いて解析した。この計算手法では、電子と陰イオンの2つの点電荷間におけるCoulomb相互作用を直接的に取り入れる。本報告では、Coulomb相互作用の遮蔽効果が移動度に与える効果をMD/EMC法が反映できることを示す。さらに、Si-MOSFET中の反転層移動度の垂直実効電界依存性を計算し、閾値電圧近傍における移動度ロールオフ現象を再現することを試みる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-23
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