シリコン単結晶における複空孔-酸素複合欠陥の形成・分解機構(半導体材料・デバイス)
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概要
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Si中の複空孔-酸素複合欠陥(V_2O)の形成・分解メカニズムを解明するために, 二つの反応V_2+O_i←→V_2O, VO+V←→V_2Oにおける中性状態での原子構造の変化と活性化エネルギーを第一原理計算により求めた. これによりV_2Oの形成は二つの温度領域で起こることが分かった. また, 熱処理温度が400℃を超えると, 反応V_2O→VO+VによるV_2Oの分解が可能になることが分かった.
- 2005-10-01
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