HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている.しかしながら、high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために、我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO_2の効果を調べた。HfO_2とGeとの間にルチル型TiO_2を堆積させた結果、GeO_xの生成が効果的に抑制された。さらに、C-V測定において、小さなヒステリシス、EOT=0.84nmの優れた電気特性が得られた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-11
著者
-
山下 良之
物質・材料研究機構 SPring-8
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
小椋 厚志
明治大学理工学部
-
生田目 俊秀
明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
小橋 和義
明治大学理工学研究科
-
長田 貴弘
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
小橋 和義
明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
山下 良之
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
小椋 厚志
明治大学理工学研究科
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