UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
低温ポリシリコン(LTPS) 薄膜はシステムオングラス実現のためのキーマテリアルである。我々は、高精度・高空間分解能をもつラマン分光器を用いて種々の条件で作製されたLTPS薄膜の応力及び結晶性の詳細評価を行った。実験では、励起光に浸入長の異なる2波長 [λ=364nm(浸入長5nm),532nm(浸入長400nm)] を用いた試料の表および裏面からの測定で、最表面、基板界面、および膜全体の平均的な情報を分離したラマン分光解析を行った。結果、LTPSは膜表面、膜内部、界面付近で応力・結晶性が異なる分布を持つことがわかり、この分布はアニール条件で異なることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-11
著者
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
小椋 厚志
明治大学理工学部電気電子生命学科
-
小瀬村 大亮
明治大学理工学部
-
小椋 厚志
明治大学理工学部
-
掛村 康人
明治大学理工学部
-
小瀬村 大亮
明治大学理工学部:日本学術振興会
-
小椋 厚志
明治大学理工学研究科
関連論文
- TFTの高性能化と課題
- Influence of grain size on gate voltage swing and threshold voltage of poly-Si thin film transistor (シリコン材料・デバイス)
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- シリコンドットTFTメモリー
- シリコンドットTFTメモリー
- 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 先端LSIにおけるチャネル歪評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- ED2000-45 / SDM2000-45 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- 基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
- 基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
- Siドット薄膜トランジスタメモリ
- Siドット薄膜トランジスタメモリ
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 高濃度Si薄膜中の不純物活性化 : ELAによるSi薄膜中P原子の高効率活性化(シリコン関連材料の作製と評価)
- エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- SiトランジスタにおけるELAの応用,AWAD2006)
- SiトランジスタにおけるELAの応用
- 超低温ポリSi TFTプロセス(U-LTPS)(半導体Si及び関連材料・評価)
- Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な木純物活性化ドーピング
- TFTの高性能化と課題
- TFTの高性能化と課題
- TFTの高性能化と課題
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- UV-ラマン分光法によるSiの高空間分解能ひずみ評価
- シリコン材料の先端科学技術国際会議
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化
- バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価