ED2000-45 / SDM2000-45 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
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概要
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シングルショットエキシマレーザーアニール(ELA)を用いて、超浅接合の0.15-μmゲートトランジスタが実現された。ゲートを通したセルフアラインELAにおいて、反射防止SiO_2膜を用いることで、ゲート電極上に熱が蓄積されずに有効にS/D上を有効にアニールすることができた。良好なゲートスイング(86mV/dec.)、低いリーク電流(〜10^<-12>A/μm)、そして高いオンオフ電流比(10^7)の良好なトランジスタ特性が得られた。シングルショットELAは、0.1-μm世代以降のSi ULSIにおける浅い接合形成プロセスとして有望な技術である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-21
著者
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
窪田 通孝
ソニー(株)
-
野口 隆
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
-
山岸 万千雄
ソニー(株)厚木テクノロジーセンターセミコンダクターカンパニー超LSI研究所先端素子研究部
-
松本 光市
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
-
山本 博士
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
-
山本 博士
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
-
窪田 通孝
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
-
山岸 万千雄
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
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