サブクォータミクロンを有するMONOS型メモリーセルの開発 : ボトム酸化膜へのRTN処理の効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ゲート長0.2μmを有するMONOS型不揮発性メモリーセルのスケーリング性を評価した。今回のゲート絶縁膜厚は、酸化膜換算にして11nmである。ここで、メモリーセルの微細化はゲート絶縁膜ONO膜(oxide/nitride/oxide)の薄膜化により達成する。この薄膜化はボトム酸化膜成長後RTN処理を施すことで、SiNの耐酸化性を向上させて達成した。又、このRTN処理により、消去速度を一桁高速にし得た。このようなプロセス手法を利用し、ゲート絶縁膜厚の薄膜化を通して、将来のメモリーセルの微細化をも可能にした。このRTNによる耐酸化性はSiN表面の凹凸が緩和されることからも考察される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小松 康俊
ソニー
-
小松 康俊
ソニー(株)、sc・超lsi研究所
-
山岸 万千雄
ソニー(株)厚木テクノロジーセンターセミコンダクターカンパニー超LSI研究所先端素子研究部
-
中村 明弘
ソニー(株)厚木テクノロジーセンターセミコンダクターカンパニー超LSI研究所先端素子研究部
-
青笹 浩
ソニー(株)厚木テクノロジーセンターセミコンダクターカンパニー超LSI研究所先端素子研究部
-
山岸 万千雄
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
-
中村 明弘
ソニー(株)
-
青笹 浩
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
-
青笹 浩
ソニー(株)
関連論文
- サブクォータミクロンを有するMONOS型メモリーセルの開発 : ボトム酸化膜へのRTN処理の効果
- 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- ED2000-45 / SDM2000-45 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- 17-7 1.2Gbps 高品位テレビ信号光ファイバ伝送システム
- 12)光ファイバを用いた216Mb/sコンポーネントディジタルビデオ信号の伝送実験(画像通信システム研究会(第81回))
- 光ファイバを用いた216Mbpsコンポーネントディジタルビデオ信号の伝送実験
- MONOSメモリのトラップ密度に依存したプログラム特性の解析モデルとMONSメモリへの応用
- 様々なトラップ密度を有するMONOSメモリのトンネル注入に基づくプログラム特性の解析的モデルとMONSメモリの提案
- 4Mbit MONOSメモリーセルアレイにおける狭いVthの分布とセルオペレーションに対する影響
- 活性化領域に埋め込まれたフローティング・ゲートを有するセルの特性 : メモリー・セルの製法とその電気的特性
- ユーザーフレンドリーなGUIを有する3次元配線容量/電流密度シミュレーションシステムの開発